Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時，第二級ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進一步降低進入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護器件的響應(yīng)速度要求較高。甘肅HDMI接口ESD保護元件參數(shù)

人體靜電電壓比較高可達約50kV以下，因為當(dāng)存在連續(xù)起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。甘肅HDMI接口ESD保護元件參數(shù)使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。

根據(jù)高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結(jié)構(gòu)，防護器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應(yīng)時間要小于被保護器件的響應(yīng)時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷海部梢灾苯舆x用低容值的快速開關(guān)二極管兩個反向并聯(lián)后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向?qū)妷?，?yīng)采用兩個快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進行雙向ESD防護。

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數(shù)千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。

在ESD設(shè)計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄?，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。MM機器模型放電的波形與預(yù)料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。甘肅HDMI接口ESD保護元件參數(shù)

ESD靜電保護元件在選型時應(yīng)注意其封裝，電容，靜電防護等級等參數(shù)。甘肅HDMI接口ESD保護元件參數(shù)

ESD靜電的來源,在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導(dǎo)致很高的靜電勢；3、人體的電阻較低，相當(dāng)于良導(dǎo)體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產(chǎn)生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場中也容易感應(yīng)起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。甘肅HDMI接口ESD保護元件參數(shù)

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